发明名称 静电放电保护电路
摘要 一种静电放电保护电路,设有一第一硅控整流器(SCR,Silicon Controlled Rectifier)与一触发电路;触发电路设有一第一金属氧化物半导体晶体管与一第二晶体管,在静电放电发生时触发第一硅控整流器,并提供一个与第一硅控整流器并联的第二硅控整流器。本发明设有触发电路,得以在静电放电发生时快速触发硅控整流器导通,等效上就是降低硅控整流器的触发电压。而触发电路本身又可提供另一并联的硅控整流器,进一步增强对静电放电电流的导通能力。
申请公布号 CN102769012B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201110119362.9 申请日期 2011.05.05
申请人 智原科技股份有限公司 发明人 蔡佳谷;蔡富义;彭彦华
分类号 H01L27/02(2006.01)I 主分类号 H01L27/02(2006.01)I
代理机构 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人 张龙哺;冯志云
主权项 一种静电放电保护电路,包含:一第一硅控整流器,具有一阳极端作为一第一耦接端、一第二耦接端、一第一控制端与一第二控制端;以及一触发电路,包含:一第一金属氧化物半导体晶体管,具有一第一漏极、一第一体极、一第一源极与一第一栅极;该第一漏极耦接该第一控制端或该第一耦接端,该第一体极耦接该第二控制端,且该第一源极耦接该第二耦接端;以及一第二金属氧化物半导体晶体管,具有一第二栅极与一第二漏极,该第二栅极绝缘于该第一栅极,该第二漏极耦接该第一栅极;其中,该第一金属氧化物半导体晶体管与该第二金属氧化物半导体晶体管于该第一耦接端与该第二耦接端间形成一寄生硅控整流器。
地址 中国台湾新竹市