| 发明名称 | III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及III族氮化物衬底、设置有外延层的衬底、制造上述衬底的方法以及制造半导体器件的方法。GaN衬底(1)为如下之一：一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×10<sup>14</sup>以下，并且每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×10<sup>13</sup>以下；一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的硅原子个数为3×10<sup>13</sup>以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下；以及一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面(3)的酸性物质原子个数为2×10<sup>14</sup>以下，并且表面(3)的浊度为5ppm以下。 | ||
| 申请公布号 | CN103014866B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201210441633.7 | 申请日期 | 2007.10.09 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 石桥惠二;八乡昭广;入仓正登;中畑成二 |
| 分类号 | H01L21/302(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/302(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 杨海荣;穆德骏 |
| 主权项 | 一种III族氮化物衬底，其中每平方厘米表面的氯原子的个数为2×10<sup>14</sup>以下，并且每平方厘米所述表面的硅原子的个数为3×10<sup>13</sup>以下，其中所述III族氮化物衬底选自由GaN制成的衬底、由AlN制成的衬底或其混晶衬底，所述氯原子和所述硅原子附着于所述衬底的所述表面。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||