| 发明名称 | 一种卡巴他赛无定形晶及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及卡巴他赛的晶型及其制备方法领域，特别涉及一种卡巴他赛无定形晶及其制备方法。该卡巴他赛无定形晶的DSC图谱在210～260℃之间有放热峰。本发明提供的卡巴他赛无定形晶是卡巴他赛新的结晶形式，具有良好的稳定性；该制备方法简化了操作步骤，不需要特殊设备，生产成本低，适合工业化生产。 | ||
| 申请公布号 | CN103044364B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201310004801.0 | 申请日期 | 2013.01.07 |
| 申请人 | 重庆泰濠制药有限公司 | 发明人 | 李靖;姚全兴 |
| 分类号 | C07D305/14(2006.01)I;A61K31/337(2006.01)I;A61P35/00(2006.01)I | 主分类号 | C07D305/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 赵青朵;冯琼 |
| 主权项 | 一种卡巴他赛无定形晶，其特征在于，所述卡巴他赛无定形晶的DSC图谱仅在219～256℃之间有放热峰；所述卡巴他赛无定形晶的制备方法为：将结晶型卡巴他赛溶于有机溶剂，浓缩，干燥，即得；所述结晶型卡巴他赛为卡巴他赛的无水物结晶、卡巴他赛的水合物结晶或卡巴他赛的溶剂合物结晶；所述有机溶剂为醇；所述醇选自C<sub>1‑4</sub>的醇；所述浓缩的温度为40～60℃。 | ||
| 地址 | 400039 重庆市九龙坡区二郎创业路105号C-3 | ||