| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 一种半导体装置，该半导体装置具备：第1导电型的第1半导体层；设置在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层；在上述第2半导体层上与上述第2半导体层接合设置的第2导电型的第3半导体层；包围上述第3半导体层的周围、比上述第3半导体层深的元件分离层；以及设在上述第3半导体层与上述元件分离层之间、与上述第3半导体层邻接、比上述第3半导体层深的第2导电型的保护环层。 | ||
| 申请公布号 | CN103219360B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201210222983.4 | 申请日期 | 2012.06.28 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 白井浩司;清水茉莉子 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L29/866(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 徐殿军 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，具备：第1导电型的第1半导体层；设置在上述第1半导体层上的第1导电型的第2半导体层；在上述第2半导体层上与上述第2半导体层接合设置的第2导电型的第3半导体层；包围上述第3半导体层的周围、比上述第3半导体层深的元件分离层；以及设在上述第3半导体层与上述元件分离层之间、与上述第3半导体层邻接、比上述第3半导体层深的第2导电型的保护环层，上述第2半导体层的第1导电型杂质浓度及上述第3半导体层的第2导电型杂质浓度比上述保护环层的第2导电型杂质浓度高。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||