| 发明名称 | 一种用于III-V族化合物器件的键合结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于III-V族化合物器件的键合结构，包括第一金属粘结层和第二金属粘结层，其特征在于：所述第二金属粘结层内部植入纳米导热膜，所述纳米导热膜由所述第二金属合层完合包裹，其导热系数大于所述第二金属粘结层的导热系数，以达到低温键合的同时快速散热。本发明同时公开一种采用上述键合结构的发光二极管。 | ||
| 申请公布号 | CN105261695A | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201510744855.X | 申请日期 | 2015.11.06 |
| 申请人 | 天津三安光电有限公司 | 发明人 | 蒙成;吴俊毅;陶青山;王笃祥 |
| 分类号 | H01L33/64(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/64(2010.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种用于III‑V族化合物器件的键合结构，包括第一金属粘结层和第二金属粘结层，其特征在于：所述第二金属粘结层内部植入纳米导热膜，所述纳米导热膜由所述第二金属合层完全包裹，其导热系数大于所述第二金属粘结层的导热系数，所述第二粘结层的材料具有足够低的硬度，以将所述纳米导热膜完全浸润，减小界面接触电阻。 | ||
| 地址 | 300384 天津市西青区华苑产业区海泰南道20号 | ||