processo para tratamento de tetracloreto de silício ou tetracloreto de germânio contaminado com pelo menos um composto que contenha hidrogênio.

摘要

processo e aparelho para a purificação de tetracloreto de silício ou tetracloreto de germânio contendo compostos de hidrogênio. a presente invenção refere-se a um processo para a purificação de tetracloreto de silício ou de tetracloreto de germânio contaminado com pelo menos um composto que contêm hidrogênio, no qual o tetracloreto de silício ou de tetracloreto de germânio a ser purificado é tratado de uma maneira objetivada por meio de um plasma frio e o tetracloreto de silício ou o tetracloreto de germânio purificado é isolado a partir da fase que tenha sido tratada dessa forma. a presente invenção refere-se ainda a um aparelho para a realização do processo da invenção, que compreende uma unidade de armazenamento e de vaporização para o tetracloreto de silício ou de germânio (4.1 ou 5.1) que está ligado através de uma linha de conexão com a entrada do reator (4.3 ou 5.3) com unidade de controle (4.4 ou 5.4) para a produção de descargas dieletricamente retardadas cuja saída leva através de um tubo, tanto diretamente como indiretamente através de pelo menos outro reator (5.5) a uma unidade de condensação (4.5 ou 5.11) com um recipiente de recolhimento a jusante (4.6 ou 5.12) que está conectado através de uma linha de saída (4.6.2 ou 5.12.1) a uma unidade de destilação (4.8 ou 5.13) e, se apropriado, é equipado com uma linha de alimentação (4.6.1) para a unidade (4.1).