发明名称 SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE
摘要 본 발명의 반도체 메모리 장치는 메모리 코어, 메모리 코어로 고전압을 제공하는 전하 펌프 회로, 및 전하 펌프 회로를 스탠바이 모드로 동작시키고, 스탠바이 모드의 동작 시간 값을 측정하는 전하 펌프 제어 회로를 포함한다. 여기서, 전하 펌프 제어 회로는 동작 시간 값을 사용하여 전하 펌프 회로의 스탠바이 모드를 제어한다.
申请公布号 KR101582607(B1) 申请公布日期 2016.01.19
申请号 KR20090038355 申请日期 2009.04.30
申请人 삼성전자주식회사 发明人 조지호
分类号 G11C5/14 主分类号 G11C5/14
代理机构 代理人
主权项
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