发明名称 スパッタリングターゲット
摘要 インジウム元素、スズ元素及び亜鉛元素を含む酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲットにおいて、前記酸化物焼結体は、In2O3(ZnO)mで表される六方晶層状化合物、InXO3(ZnO)nで表される六方晶層状化合物、SnO2で表されるルチル構造化合物、及びZnSnO3で表されるイルメナイト構造化合物から選ばれる1以上と、Zn2SnO4で表されるスピネル構造化合物を含み、スピネル構造化合物の凝集物が全体の5%以下であるスパッタリングターゲット。(式中、Xはインジウム元素及び亜鉛元素と共に六方晶層状化合物を形成することができる金属元素であり、mは1以上の整数であり、nは1以上の整数である。)
申请公布号 JPWO2013179676(A1) 申请公布日期 2016.01.18
申请号 JP20140518294 申请日期 2013.05.31
申请人 出光興産株式会社 发明人 西村 麻美;松崎 滋夫;大山 正嗣
分类号 C23C14/34;C04B35/453 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人
主权项
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