SEMICONDUCTOR STRUCTURES HAVING NUCLEATION LAYER TO PREVENT INTERFACIAL CHARGE FOR COLUMN III-V MATERIALS ON COLUMN IV OR COLUMN IV-IV MATERIALS

摘要

반도체 구조는, 칼럼 IV 물질 또는 칼럼 IV-IV 물질; 상기 칼럼 IV 물질 또는 칼럼 IV-IV 물질의 표면상의 AlN층 또는 60% 이상의 알루미늄 함량을 갖는 칼럼 III 질화물의 핵형성층 그리고 상기 핵형성층 상의 칼럼 III-V 물질의 층을 포함하며, 상기 핵형성층과 상기 핵형성층 상부의 상기 칼럼 III-V 물질의 층이 다른 결정학적 구조들을 가진다. 일 실시예에 있어서, 상기 칼럼 III-V 핵형성층은 질화물이며, 상기 핵형성층 상부의 상기 칼럼 III-V 물질의 층은, 예를 들면, 비소화물(예를 들면, GaAs), 인화물(예를 들면, InP) 혹은 안티몬화물(예를 들면, InSb), 또는 이들의 합금들과 같은 비-질화물이다.