| 发明名称 |
制备纯八氯三矽烷及十氯四矽烷之方法 |
| 摘要 |
明关于制造三聚型及/或四聚型矽化合物或三聚型及/或四聚型锗化合物之方法，其中将矽化合物的混合物或锗化合物的混合物暴露于非热电浆，且对所得相进行至少一次真空精馏及过滤。
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| 申请公布号 |
TW201602000 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104106338 |
申请日期 |
2015.02.26 |
| 申请人 |
赢创工业股份有限公司 |
发明人 |
皮瑞兹 加内那;罗里德 哈特威格;朗 裘根;乔兹 克里斯汀;尤仁柏 戈斯温 |
| 分类号 |
C01B33/107(2006.01);C01G17/04(2006.01);B01J19/08(2006.01) |
主分类号 |
C01B33/107(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种制备通式Si3X8及/或Si4X10之三聚型及/或四聚型矽化合物或通式Ge3X8及/或Ge4X10之三聚型及/或四聚型锗化合物之方法，a)其中将通式Sin(R1...R2n+2)之矽化合物的混合物或通式Gen(R1...R2n+2)之锗化合物的混合物暴露于非热电浆，其中n2，且R1至R2n+2为氢及/或X，且X=卤素，且该卤素系选自氯、溴及/或碘，及b)对所得相进行至少一次真空精馏及过滤，其中获得通式Si3X8或Si4X10之矽化合物或通式Ge3X8或Ge4X10之锗化合物。
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| 地址 |
德国 |
