发明名称 |
混合的研磨性钨之化学机械抛光(CMP)组合物 |
摘要 |
明系关于一种用于抛光具有钨层之基板之化学机械抛光组合物,该组合物包括水基液体载剂、分散于该液体载剂中之第一与第二胶态二氧化矽研磨剂及含铁加速剂。该第一胶态二氧化矽研磨剂与该第二胶态二氧化矽研磨剂各自具有至少10mV之永久性正电荷。该第二二氧化矽研磨剂之平均粒径比该第一二氧化矽研磨剂之平均粒径大至少20奈米。进一步揭示一种化学机械抛光包括钨层之基板之方法。该方法可包括使该基板与上述抛光组合物接触,相对于该基板移动该抛光组合物,及研磨该基板以自该基板移除一部分该钨且从而抛光该基板。
|
申请公布号 |
TW201602324 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW104109483 |
申请日期 |
2015.03.24 |
申请人 |
卡博特微电子公司 |
发明人 |
沃德 威廉;怀腾纳 葛伦;葛伦拜 史帝芬;戴萨 杰佛瑞 |
分类号 |
C09K3/14(2006.01);C09G1/02(2006.01);C23F1/26(2006.01);B24B37/00(2012.01);H01L21/321(2006.01) |
主分类号 |
C09K3/14(2006.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种化学机械抛光组合物,其包含:水基液体载剂;分散于该液体载剂中之第一胶态二氧化矽研磨剂,该第一胶态二氧化矽研磨剂具有至少10mV之永久性正电荷;分散于该液体载剂中之第二胶态二氧化矽研磨剂,该第二胶态二氧化矽研磨剂具有至少10mV之永久性正电荷;及含铁促进剂;其中该第二胶态二氧化矽研磨剂之平均粒径比该第一胶态二氧化矽研磨剂之平均粒径大至少20奈米。
|
地址 |
美国 |