发明名称 半导体装置和其制造方法
摘要 明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种实施例是一种半导体装置,包括同一个基板上的驱动电路部、显示部(也称为像素部),驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜电晶体、第一布线、第二布线,并且,薄膜电晶体包括与半导体层的端部相比其端部位于更内侧的源极电极层或汲极电极层,并且,在驱动电路部中的薄膜电晶体中,利用闸极电极层和导电层夹持半导体层,并且,第一布线和第二布线藉由设置在闸极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。
申请公布号 TW201603240 申请公布日期 2016.01.16
申请号 TW104132834 申请日期 2010.07.26
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高
分类号 H01L27/088(2006.01);H01L27/12(2006.01);G02F1/1368(2006.01);H01L21/8234(2006.01);H01L21/84(2006.01) 主分类号 H01L27/088(2006.01)
代理机构 代理人 林志刚
主权项 一种液晶显示装置,包含:同一个基板上的像素部和驱动电路部,其中该像素部包含第一电晶体、像素电极及该像素电极上的液晶层,其中该第一电晶体包含:第一闸极电极;该第一闸极电极上的闸极绝缘层;该闸极绝缘层上的第一氧化物半导体层;与该第一氧化物半导体层电连接的第一源极电极;以及与该第一氧化物半导体层电连接的第一汲极电极;其中氧化物绝缘层是在该第一源极电极和该第一汲极电极上,其中该像素电极是透过该氧化物绝缘层的第一接触孔与该第一源极电极或该第一汲极电极电连接,其中该驱动电路部包含第二电晶体、第一导电层及第二导电层,其中该第二电晶体包含:第二闸极电极;该第二闸极电极上的该闸极绝缘层;该闸极绝缘层上的第二氧化物半导体层;与该第二氧化物半导体层电连接的第二源极电极;以及 与该第二氧化物半导体层电连接的第二汲极电极;其中该氧化物绝缘层是在该第二源极电极和该第二汲极电极上,其中第三导电层是在该氧化物绝缘层上,其中该第二氧化物半导体层是夹在该第二闸极电极和该第三导电层之间,其中该第一闸极电极、该第二闸极电极和该第一导电层是藉由处理相同的导电膜所形成,其中该第二导电层包含该闸极绝缘层的第二接触孔中的区域,其中该第二导电层包含第三接触孔中的区域,其中该第三接触孔包含与该第二接触孔重叠的区域,以及其中该第一导电层是透过该第二导电层与该第二源极电极或该第二汲极电极电连接。
地址 日本