| 发明名称 | 鳍式场效电晶体及其制造方法 | ||
| 摘要 | 鳍式场效电晶体(FinFET)及其制造方法。一FinFET包括具有一上表面之一基板和一绝缘物(insulation)形成于基板之上表面上。基板上具有至少一凹陷鳍部(recessed fin)自基板上表面向上延伸。绝缘物包括邻近凹陷鳍部之一外侧部(lateral portion)，和邻接外侧部之一部(central portion)，其中外侧部之一上表面系高于部之一上表面。凹陷鳍部之一上表面系低于部之上表面。 | ||
| 申请公布号 | TW201603274 | 申请公布日期 | 2016.01.16 |
| 申请号 | TW103123281 | 申请日期 | 2014.07.07 |
| 申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 吴彦良;童宇诚;李镇全;吕水烟 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01);H01L21/28(2006.01) | 主分类号 | H01L29/78(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | 祁明辉;林素华;涂绮玲 | |
| 主权项 | 一种鳍式场效电晶体(FinFET)，包括：一基板，具有一上表面和至少一凹陷鳍部(recessed fin)自该上表面向上延伸；一绝缘物(insulation)，形成于该基板之该上表面上，该绝缘物包括：一外侧部(lateral portion)邻近该凹陷鳍部；和一中央部(central portion)邻接该外侧部，且该外侧部之一上表面系高于该中央部之一上表面；其中，该凹陷鳍部之一上表面系低于该中央部之该上表面。 | ||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 | ||