半导体装置之制造方法

摘要

明系关于半导体装置的制造方法。制造具有优良的电特性的电晶体。在基板之上形成氧化物绝缘膜，在该氧化物绝缘膜之上形成氧化物半导体膜，然后在使氧化物半导体膜中所含有的氢脱附并且使氧化物绝缘膜中所含有的部分氧脱附的温度下执行热处理，然后将所加热的氧化物半导体膜蚀刻成预定形状以形成岛形氧化物半导体膜，在该岛形氧化物半导体膜之上形成电极对，在该电极对和岛形氧化物半导体膜之上形成闸极绝缘膜，以及在闸极绝缘膜之上形成闸极电极。

主权项

一种半导体装置之制造方法，包括以下步骤：在基板之上形成氧化物绝缘膜，其中，该氧化物绝缘膜含有比例高于化学计量组成中的氧比例的氧；在该氧化物绝缘膜上形成与该氧化物绝缘膜相接触的氧化物半导体膜；藉由执行热处理降低该氧化物半导体膜中氢的浓度和氧空位的数量；在执行该热处理之后，在该氧化物半导体膜上形成缓冲层；蚀刻该氧化物半导体膜的一部分及该缓冲层以形成岛形氧化物半导体膜以及该岛形氧化物半导体膜上的岛形缓冲层；在该岛形氧化物半导体膜及该岛形缓冲层之上形成电极对；蚀刻该岛形缓冲层以在该岛形氧化物半导体膜上形成缓冲层对；在该岛形氧化物半导体膜、该缓冲层对及该电极对之上形成闸极绝缘膜；以及形成与该岛形氧化物半导体膜重叠的闸极电极，该闸极绝缘膜系介于该闸极电极和该岛形氧化物半导体膜之间。