| 发明名称 |
使用NH4F的N型掺杂石墨烯及电组件的制造方法，由该方法制成的石墨烯及电组件 |
| 摘要 |
明系关于利用氟化铵(NH4F)制造N型掺杂石墨烯与电组件的制造方法以及以此方法所制成之石墨烯与电组件。制造N型掺杂石墨烯之例示性制造方法包含：(a)制备石墨烯以及氟化铵(NH4F)；及(b)将石墨烯暴露至氟化铵(NH4F)，其中经由(b)可将氟层形成在石墨烯层之上与下表面的部分或全部上，且使铵离子物理吸附至石墨烯层之上与下表面的部分或全部或石墨烯层之碳原子之间的缺陷，藉此进行石墨烯之N型掺杂，并同时维持或更进一步地改善石墨烯之包含电荷迁移率的优异电特性。 |
| 申请公布号 |
TW201603122 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104109669 |
申请日期 |
2015.03.26 |
| 申请人 |
兰姆研究公司 |
发明人 |
赵炳珍;奉载勋;薛元齐;尹 央锡 |
| 分类号 |
H01L21/228(2006.01);H01L29/772(2006.01);C01B31/04(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/228(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
许峻荣 |
| 主权项 |
一种N型掺杂石墨烯的制造方法，包含： (a) 制备一石墨烯与氟化铵(NH4
F)；及 (b) 将该石墨烯暴露至该氟化铵(NH4
F)， 其中经由(b)，一氟层系形成在一石墨烯层之上与下表面的部分或全部上，且复数铵离子系物理吸附至该石墨烯层的该上与下表面的部分或全部、或者吸附至该石墨烯层之复数碳原子之间的复数缺陷。 |
| 地址 |
美国 |
