| 发明名称 |
半导体积层构造及其制造方法 |
| 摘要 |
明系提供关于利用离子植入法形成p型GaN层的新颖技术。
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| 申请公布号 |
TW201603263 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104118801 |
申请日期 |
2015.06.10 |
| 申请人 |
赛奥科思股份有限公司 |
发明人 |
金田直树;三岛友义;中村彻 |
| 分类号 |
H01L29/12(2006.01);H01L29/20(2006.01);H01L29/30(2006.01);H01L33/02(2010.01);H01L21/20(2006.01);H01L21/324(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
赖经臣;宿希成 |
| 主权项 |
一种半导体积层构造，系具备有：n型GaN层；以及形成于上述n型GaN层上，且经离子植入Mg的p型GaN层；藉由对上述n型GaN层与上述p型GaN层所形成的pn接合施加电压，呈现在3.0eV以上之光子能具有尖峰的电激发光。
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| 地址 |
日本 |
