建立用于三维电路装置之堆叠中空通道技术

摘要

三维堆叠电路装置包括多个层叠之电路元件，各个层叠包括多层电路元件。各个层叠包括延伸贯穿该层叠的一高度掺杂中空通道。在该第一层叠下方为一源极导体以驱动该等电路元件之活性。在各个层叠间为一传导性停止层其互连自一个层叠的该中空通道至相邻该层叠的该中空通道。因此，全部层叠之全部中空通道系电气式耦接至该源极导体。

主权项

一种电路装置，其包含：位在一半导体基体上的一源极导体层；多个由记忆体胞元所组成之层叠，该等层叠系堆叠于彼此之上，各个层叠包括：多个由记忆体胞元所组成之层，该等层堆叠于彼此之上，各层包括一记忆体胞元；及延伸贯穿该层叠的至少一个中空通道，该中空通道包括一通道绝缘体和一重度掺杂多晶体材料，该多晶体材料环绕该通道绝缘体且系位在与该等多个由记忆体胞元所组成之层相邻之处；以及在各对相邻层叠之间的具有传导性的一停止层，其中，该停止层使一层叠之一中空通道与另一层叠之该中空通道互连；其中，一第一层叠之该中空通道自该源极导体延伸至位在该第一层叠与一相邻层叠之间的该停止层，且各个另一层叠之该中空通道自该停止层延伸贯穿该层叠。