接触结构及形成方法以及应用其之回路

摘要

形成于藉由形成第一次堆叠、第二次堆叠、第一缓冲层、与第二缓冲层来形成的交替的主动层与绝缘层之一堆叠中。第二次堆叠位于第一次堆叠上。第一缓冲层形成于第一次堆叠与第二次堆叠间。第二缓冲层形成于第一次堆叠下。第一次堆叠之一上层藉由第一与第二蚀刻制程通过一组通孔暴露出。第一蚀刻制程形成通过第二次堆叠并止于第一缓冲层或止于其中的第一组蚀刻通孔。第二蚀刻制程蚀刻通过第一缓冲层至第一次堆叠之上层。第三蚀刻制程蚀刻通过第一组蚀刻通孔来通过第一次堆叠并止于第二缓冲层或止于其中。第四蚀刻制程蚀刻通过第二缓冲层。

主权项

【第1项】一种在一层堆叠中形成通孔的方法，包括：形成交替的主动层与绝缘层之一堆叠，包括：形成一第一次堆叠，该第一次堆叠包括藉由复数个绝缘层分开的N个主动层；形成一第二次堆叠于该第一次堆叠之上，该第二次堆叠包括藉由复数个绝缘层分开的M个主动层；以及形成一第一缓冲层于该第一次堆叠与该第二次堆叠之间，且形成一第二缓冲层于该第一次堆叠之下；藉由下列步骤通过一组通孔来暴露出该第一次堆叠之一上层：使用一第一蚀刻制程来进行蚀刻，以形成通过该第二次堆叠并停止于该第一缓冲层或停止于该第一缓冲层之中的一第一组蚀刻通孔，且接着使用一第二蚀刻制程来进行蚀刻，通过该第一缓冲层至该第一次堆叠之该上层；以及藉由下列步骤蚀刻通过该第一次堆叠：使用一第三蚀刻制程来进行蚀刻，通过该第一组蚀刻通孔来通过该第一次堆叠并停止于该第二缓冲层或停止于该第二缓冲层之中，且接着使用一第四蚀刻制程来进行蚀刻，通过该第二缓冲层。