发明名称 |
积体电路元件及其制作方法 |
摘要 |
明提供一种积体电路元件,其包括:一第一基板,包含一第一图案化金属层;一第二基板,堆叠于该第一基板上,该第二基板包含一半导体材料层、一第一介电层、一第二图案化金属层、及一第二介电层;其中,该第二图案化金属层位于该第一介电层与该第二介电层之间,且该第二图案化金属层与该第一图案化金属层具有一重叠区域;一导电通路,位于该重叠区域,至少贯穿该第二基板,以电性连接该第二图案化金属层与该第一图案化金属层;以及一绝缘层,位于该导电通路与该半导体材料层之间。
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申请公布号 |
TW201603228 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW103129385 |
申请日期 |
2014.08.26 |
申请人 |
财团法人工业技术研究院 |
发明人 |
陈迩浩;林哲歆;顾子琨 |
分类号 |
H01L23/52(2006.01);H01L21/768(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/52(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林坤成;林瑞祥 |
主权项 |
一种积体电路元件,其包括:一第一基板,包含一第一图案化金属层;一第二基板,堆叠于该第一基板上,该第二基板包含:一半导体材料层;一第一介电层;一第二图案化金属层;以及一第二介电层;其中该第二图案化金属层位于该第一介电层与该第二介电层之间,且该第二图案化金属层与该第一图案化金属层具有一重叠区域;一导电通路,位于该重叠区域,至少贯穿该第二基板与该第二图案化金属层,以电性连接该第二图案化金属层与该第一图案化金属层;以及一绝缘层,位于该导电通路与该半导体材料层之间。
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地址 |
新竹县竹东镇中兴路4段195号 |