发明名称 |
多胜肽异种多聚体之制造方法 |
摘要 |
明提供,利用电荷相斥以达成Fc区域的分离之促进及/或结合之控制,将形成Fc区域界面之胺基酸的变异、及/或使重链CH3区域之安定性为不安定的变异导入重链CH3区域之复数种多胜肽的同聚多肽,在还原条件下温育,以效率且安定地制造异种多聚体之方法。
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申请公布号 |
TW201602132 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW103133689 |
申请日期 |
2014.09.29 |
申请人 |
中外制药股份有限公司 |
发明人 |
井川智之;坚田仁;味元风太 |
分类号 |
C07K16/00(2006.01);A61K39/395(2006.01);A61P35/00(2006.01) |
主分类号 |
C07K16/00(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 |
主权项 |
一种异种多聚体之制造方法,其包含:a)提供具有第1抗原结合活性,且含Fc区域之第1多胜肽的同聚多肽之阶段,b)提供具有与该第1抗原结合活性相异的第2抗原结合活性,且含Fc区域之第2多胜肽的同聚多肽之阶段,c)在可使枢纽区域内的半胱胺酸发生双硫键异构化之还原条件下,共同温育该第1多胜肽之同聚多肽及该第2多胜肽的同聚多肽之阶段,以及d)获得含该第1及第2多胜肽的异种多聚体之阶段,在前述第1及/或第2多胜肽的Fc区域所含之CH3区域中,具有与选自:(1)EU编号第356位及第439位的胺基酸残基、(2)EU编号第357位及第370位的胺基酸残基、及(3)EU编号第399位及第409位的胺基酸残基所示之胺基酸残基之组的1组至3组的胺基酸残基同类之电荷;在前述第1多胜肽的CH3区域及前述第2多胜肽的CH3区域双方中,在前述(1)至(3)所示之胺基酸残基的组中同组之胺基酸残基各具有同类之电荷时,前述第2多胜肽的CH3区域中的该组胺基酸残基,具有与前述第1多胜肽的CH3区域中该组胺基酸残基相反之电荷。
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地址 |
日本 |