半导体装置及其制造方法

摘要

或大体上本质并且包括结晶区在该氧化物半导体层的表面部中之氧化物半导体层被用于该等电晶体。使用从氧化物半导体去除欲成为电子施体(施体)之杂质并且具有比矽半导体大的能带隙之本质或大体上本质半导体。可藉由控制一对导电膜的该电位来控制该等电晶体的电特性，该对导电膜系设置在该氧化物半导体层的彼此相对侧上，各具有绝缘膜配置在其间，使得形成在该氧化物半导体层中之通道的该位置被决定。

主权项

一种半导体装置，包含：反相器，包含在基板上的第一电晶体与第二电晶体，该第一电晶体与该第二电晶体之各者包含：第一电极层；氧化物半导体层，具有第一绝缘膜插入在其间，该氧化物半导体层包含铟、锌，及选自镓、铝、锰、钴、及锡的一或多个金属元素；第二电极层，其在该氧化物半导体层上；第三电极层，其在该氧化物半导体层上；以及第四电极层，其在该第一电极层上，具有至少该氧化物半导体层和第二绝缘膜插入在其间，其中该第一电晶体的该第三电极层电连接到该第二电晶体的该第二电极层，其中该第二电晶体的该第四电极层电连接到该第二电晶体的该第二电极层，以及其中该氧化物半导体层包含第一氧化物半导体层与在该第一氧化物半导体层上的第二氧化物半导体层。