发明名称 |
电晶体及半导体装置 |
摘要 |
寄生电容小的电晶体。本发明的一个方式是一种电晶体,包括:氧化物半导体;第一导电体;第二导电体;第三导电体;第一绝缘体;以及第二绝缘体,其中,第一导电体包括第一区域、第二区域及第三区域,氧化物半导体包括第四区域、第五区域及第六区域,第一区域包括第一区域与第六区域隔着第一绝缘体相互重叠的区域,第二区域包括第二区域与第二导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的区域,第三区域包括第三区域与第三导电体隔着第一绝缘体及第二绝缘体相互重叠的区域,第四区域包括第四区域与第二导电体相互接触的区域。
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申请公布号 |
TW201603282 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW104118660 |
申请日期 |
2015.06.09 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平 |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L29/423(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
林怡芳;童启哲 |
主权项 |
一种电晶体,包括:氧化物半导体;第一导电体;第二导电体;第三导电体;第一绝缘体;以及第二绝缘体,其中,该第一导电体包括第一区域、第二区域及第三区域,该氧化物半导体包括第四区域、第五区域及第六区域,该第一区域与该第六区域以该第一绝缘体位于该第一区域与该第六区域之间的方式相互重叠,该第二区域与该第二导电体以该第一绝缘体及该第二绝缘体位于该第二区域与该第二导电体之间的方式相互重叠,该第三区域与该第三导电体以该第一绝缘体及该第二绝缘体位于该第三区域与该第三导电体之间的方式相互重叠,该第二导电体与该第四区域接触,该第三导电体与该第五区域接触,并且,该第六区域包含比该第四区域及该第五区域低的载子密度。
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地址 |
日本 |