| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法 |
| 摘要 |
明系有关半导体装置及其制造方法。目的是在不降低诸如主动矩阵型显示装置的半导体装置中的电晶体的驱动能力的情况下减小寄生电容的电容值。此外，另一目的是以低成本提供一种其中之寄生电容的电容值被减小的半导体装置。在由与电晶体的闸极电极相同的材料层所形成的布线与由与源极电极或汲极电极相同的材料层所形成的布线之间提供除了闸极绝缘层之外的绝缘层。
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| 申请公布号 |
TW201603253 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104134198 |
申请日期 |
2009.12.15 |
| 申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
山崎舜平 |
| 分类号 |
H01L27/12(2006.01);G02F1/136(2006.01);H01L29/786(2006.01);H01L21/336(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/12(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种显示装置，包括：在基板之上包含闸极电极的第一布线；在该闸极电极之上的闸极绝缘层；在该闸极绝缘层之上的氧化物半导体层；包含电连接至该氧化物半导体层之源极电极和汲极电极的其中一者之第二布线；在该氧化物半导体层之上的绝缘层；在该绝缘层之上的有机绝缘层；以及在该有机绝缘层之上的像素电极层，其中，该像素电极层系经由开口于该绝缘层和该有机绝缘层中的接触孔而与该源极电极和该汲极电极的另一者电接触，其中，该第一布线和该第二布线包含彼此互相重叠的部分，并且其中，透明导电层与该部分重叠。
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| 地址 |
日本 |
