半导体装置的制造方法

摘要

半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在设置在基板上的第一闸极电极上边在450℃以上且低于该基板的应变点的温度下加热边形成第一绝缘膜；在第一绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜；在对第一氧化物半导体膜添加氧之后在第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；以及进行加热处理以使第一氧化物半导体膜所包含的氧的一部分移动到第二氧化物半导体膜。

主权项

一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：在基板上形成第一闸极电极；边在450℃以上且低于该基板的应变点的温度下加热该基板边形成接触于该第一闸极电极的第一绝缘膜；形成接触于该第一绝缘膜的第一氧化物半导体膜；对该第一氧化物半导体膜添加氧；在对该第一氧化物半导体膜添加该氧之后，形成接触于该第一氧化物半导体膜的第二氧化物半导体膜；在形成该第二氧化物半导体膜之后，进行第一加热处理；对该第一绝缘膜的一部分、该第一氧化物半导体膜的一部分以及该第二氧化物半导体膜的一部分进行蚀刻，由此形成具有凸部的第一闸极绝缘膜、被蚀刻的第一氧化物半导体膜以及被蚀刻的第二氧化物半导体膜；形成接触于该被蚀刻的第二氧化物半导体膜的一对电极；形成接触于该被蚀刻的第二氧化物半导体膜及该一对电极的第三氧化物半导体膜；形成接触于该第三氧化物半导体膜的第二闸极绝缘膜；以及形成接触于该第二闸极绝缘膜的第二闸极电极。