于半导体装置中形成为金属线互连之凸块连结

摘要

明揭示一种半导体功率晶片，其具有形成于一半导体晶粒上之一半导体功率装置；其中该半导体功率装置包括：一导电接触元件阵列；一钝化层，其形成于该复数个导电接触元件上方，该钝化层包括复数个该等导电接触元件上方之钝化开口；及一导电凸块阵列，其包含一或多个互连凸块，其中每一互连凸块形成于该钝化层上方并延伸至该等钝化开口中之至少两者中且与至少两个下伏导电接触元件接触，以藉此提供该至少两个下伏导电接触元件之间的一导电耦合。

主权项

一种半导体功率晶片，其包括：一半导体功率装置，其形成于一半导体晶粒上；其中该半导体功率装置包括：一导电接触元件阵列；一钝化层，其形成于该复数个导电接触元件上方，该钝化层包括复数个该等导电接触元件上方之钝化开口；及一导电凸块阵列，其包含一或多个互连凸块，其中每一互连凸块形成于该钝化层上方并延伸至该等钝化开口中之至少两者中且与至少两个下伏导电接触元件接触，以藉此提供该至少两个下伏导电接触元件之间的一导电耦合。