三维记忆装置

摘要

三维记忆装置。三维记忆装置包括记忆元件区、第一阶梯结构、第二阶梯结构、第一导电条以及第二导电条。记忆元件区包括第一堆叠结构以及第二堆叠结构。第一堆叠结构包括第一半导体条，第二堆叠结构包括第二半导体条。第一阶梯结构位于记忆元件区之一侧，第一半导体条之一端连接第一阶梯结构。第二阶梯结构位于记忆元件区之对侧，第二半导体条之一端连接第二阶梯结构。第一导电条透过第一阶梯结构耦接至第一半导体条。第二导电条透过第二阶梯结构耦接至第二半导体条。

主权项

【第1项】一种三维记忆装置，包括：一记忆元件区，包括：一第一堆叠结构，包括一第一半导体条；以及一第二堆叠结构，包括一第二半导体条，该第二堆叠结构与该第一堆叠结构平行且相邻；一第一阶梯结构，位于该记忆元件区外之一侧，该第一半导体条之一端连接该第一阶梯结构；一第二阶梯结构，位于该记忆元件区外之对侧，该第二半导体条之一端连接该第二阶梯结构；一第一导电条，透过该第一阶梯结构耦接至该第一半导体条；以及一第二导电条，透过该第二阶梯结构耦接至该第二半导体条。