| 发明名称 |
半导体装置接合用铜稀薄镍合金线之构造 |
| 摘要 |
明之目的系抑制半导体装置用铜合金接合线中，产生于线材表层正下方之不规则的肥大氧化层的成长，并提升第二接合性。
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| 申请公布号 |
TW201602366 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW103124223 |
申请日期 |
2014.07.15 |
| 申请人 |
田中电子工业股份有限公司 |
发明人 |
天野裕之;三上道孝;冈崎纯一;滨本拓也;中岛伸一郎;山下勉;三苫修一;小野甲介;刘斌;执行裕之 |
| 分类号 |
C22C9/00(2006.01);C22C9/06(2006.01);C22F1/08(2006.01);B21C1/00(2006.01);H01L21/60(2006.01);H01L23/48(2006.01) |
主分类号 |
C22C9/00(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
郭雨岚;高志明 |
| 主权项 |
一种半导体装置接合用铜稀薄镍合金线之构造，其系在剖面减少率为99%以上的情况下进行连续伸线，且以表层、内部氧化层及铜稀薄镍合金层所构成之半导体装置接合用铜稀薄镍合金线，其中，上述表层系由氧化物的成长层所构成，上述内部氧化层系由使氧化镍粒子微细分散于金属不足型氧化铜母材中的层所构成，上述铜稀薄镍合金层为使0.1~1.5质量%的镍(Ni)均匀固溶于纯度99.995质量%以上的铜(Cu)母材的合金层，该半导体装置接合用铜稀薄镍合金线之构造的特征为：上述内部氧化层的厚度为上述表面层厚度的60倍以上。
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| 地址 |
日本 |
