半导体装置及其制造方法

摘要

在于提供具有较低耗电的半导体装置作为包含使用氧化物半导体层的薄膜电晶体之半导体装置。目的在于提供具有高可靠度的半导体装置作为包含使用氧化物半导体层的薄膜电晶体之半导体装置。在半导体装置中，闸极电极层(闸极布线层)与布线层交会，布线层电连接至源极电极层或汲极电极层，而以遮盖薄膜电晶体的氧化物半导体层之绝缘层及闸极绝缘层介于其间。因此，可以降低由闸极电极层、闸极绝缘层、及源极或汲极电极层的堆叠层结构形成的寄生电容，以致于可以实现半导体装置的低耗电。

主权项

一种半导体装置，包含：闸极电极层；闸极绝缘层；氧化物半导体层，包含与该闸极电极层相邻且具有该闸极绝缘层于其间的通道形成区，该氧化物半导体层包含铟和氧；在该氧化物半导体层上且与之电性接触的源极和汲极电极层；其中该氧化物半导体层的该通道形成区包含具有大于或等于1nm且小于或等于20nm的粒子直径的微晶部份，其中该氧化物半导体层包含与该源极和汲极电极层其中一个相接触之区域，并且其中该通道形成区中的氧密度高于该区域中的氧密度。