发明名称 |
铁电场效电晶体、以列线和行线方式形成阵列的复数个铁电场效电晶体以及形成复数个铁电场效电晶体的方法 |
摘要 |
明揭示一种铁电场效电晶体,其包括一半导电通道,该半导电通道包括对置侧壁及一高度上最外顶部。一源极/汲极区域在该通道之对置末端处。该电晶体之一闸极构造包括沿着该通道顶部且横向沿着该等通道侧壁延伸之内部介电质。内部导电材料高度上且横向自该内部介电质向外且沿着该通道顶部且横向沿着该等通道侧壁延伸。外部铁电材料高度上自该内部导电材料向外且沿着该通道顶部延伸。外部导电材料高度上自该外部铁电材料向外且沿着该通道延伸。揭示其他构造及方法。
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申请公布号 |
TW201603281 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW104113107 |
申请日期 |
2015.04.23 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
拉玛斯瓦米 杜来 维莎卡 尼尔摩;普拉尔 克拉克D |
分类号 |
H01L29/78(2006.01);H01L27/115(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/78(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
陈长文 |
主权项 |
一种铁电场效电晶体,其包括:一半导电通道,其包括对置侧壁及一高度上最外顶部;一源极/汲极区域,其在该通道之对置末端处;及一闸极构造,其包括:内部介电质,其沿着该通道顶部且横向沿着该等通道侧壁延伸;内部导电材料,其高度上且横向自该内部介电质向外且沿着该通道顶部且横向沿着该等通道侧壁延伸;外部铁电材料,其高度上自该内部导电材料向外且沿着该通道顶部延伸;及外部导电材料,其高度上自该外部铁电材料向外且沿着该通道顶部延伸。
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地址 |
美国 |