半导体装置及其制造方法

摘要

明之目的系于使用SOI基板之半导体装置中，降低天线效应对策用虚设填充单元之闸极漏电流，且抑制天线效应。

主权项

一种半导体装置，其包含：SOI基板，其具有半导体基板、上述半导体基板上之绝缘膜、及上述绝缘膜上之半导体层；第1场效电晶体，其形成于上述SOI基板之第1区域；虚设填充单元，其形成于上述SOI基板之与上述第1区域不同之第2区域；层间绝缘膜，其系以覆盖上述第1场效电晶体及上述虚设填充单元之方式，形成于上述SOI基板上；且上述第1场效电晶体具有：第1闸极绝缘膜，其形成于上述半导体层上；及第1闸极电极，其形成于上述第1闸极绝缘膜上；上述虚设填充单元具有：第2闸极绝缘膜，其形成于上述半导体层上；及第2闸极电极，其形成于上述第2闸极绝缘膜上；上述第1场效电晶体之上述第1闸极电极与上述虚设填充单元之上述第2闸极电极系经由形成于上述层间绝缘膜上之配线而电性连接；上述虚设填充单元之上述第2闸极绝缘膜之厚度厚于上述第1场效电晶体之上述第1闸极绝缘膜之厚度；且上述虚设填充单元之闸极电容与上述第1场效电晶体之闸极电容相同。