半导体装置

摘要

明旨在提供一种半导体装置，可抑制半导体装置之特性差异。 该半导体装置，包含：插塞PR1，形成于层间绝缘膜II1中；下部电极LE1，设在插塞PR1上，且连接插塞PR1；中间层ML1，设在下部电极LE1上，且由金属氧化物构成；及上部电极UE1，设在中间层ML1上。中间层ML1，具有和下部电极LE1与上部电极UE1相接之叠层区域LR1。叠层区域LR1，至少于一部分不与插塞PR1重叠。插塞PR1，至少于一部分不与叠层区域LR1重叠。

主权项

一种半导体装置，包含： 第1插塞，形成于第1层间绝缘膜中； 下部电极，设在该第1插塞上，且连接该第1插塞； 中间层，设在该下部电极上，且由金属氧化物构成；及 上部电极，设在该中间层上；且 该中间层，具有和该下部电极与该上部电极相接之叠层区域， 该叠层区域，至少于其一部分不与该第1插塞重叠， 该第1插塞，至少于其一部分不与该叠层区域重叠。