半导体装置

摘要

明公开了一种可提高半导体装置之可靠性的技术。在半导体装置SM1的封装PA内包装了形成有功率金氧半场效电晶体之半导体晶片4PH,4PL、和形成有控制其动作的控制电路之半导体晶片4D，半导体晶片4PH,4PL,4D各自被搭载在印模焊垫7D1,7D2,7D3之上。高侧的半导体晶片4PH的源极电极用的接合焊垫12S1,12S2，经由金属板8A与印模焊垫7D2电性连接。在印模焊垫7D2的上表面设有形成于搭载了半导体晶片4PL的区域的电镀层9b、以及形成于接合有金属板8A的区域的电镀层9c，电镀层9b和电镀层9c经由未形成有电镀层的区域被隔开。

主权项

一种半导体装置，其特征在于：包含DC-DC转换器，且具备：(a)高侧用半导体晶片，形成有上述DC-DC转换器的高侧金氧半场效电晶体(MOSFET)，并具有上述高侧金氧半场效电晶体的闸极电极用焊垫、源极电极用焊垫及汲极电极，(b)低侧用半导体晶片，形成有上述DC-DC转换器的低侧金氧半场效电晶体，并具有上述低侧金氧半场效电晶体的闸极电极用焊垫、源极电极用焊垫及汲极电极，(c)驱动器用半导体晶片，形成有上述高侧金氧半场效电晶体及上述低侧金氧半场效电晶体的驱动器电路，(d)高侧用晶片搭载部，搭载上述高侧用半导体晶片，(e)低侧用晶片搭载部，搭载上述低侧用半导体晶片，(f)驱动器用晶片搭载部，搭载上述驱动器用半导体晶片，(g)高侧用金属板，将上述高侧用半导体晶片中所设的上述高侧金氧半场效电晶体的源极电极用焊垫和上述低侧用晶片搭载部电性连接，以及(h)密封体，覆盖上述高侧用晶片搭载部的一部分、上述低侧用晶片搭载部的一部分、上述驱动器用晶片搭载部的一部分、上述高侧用半导体晶片、上述低侧用半导体晶片、上述驱动器用半导体晶片及上述高侧用金属板；在上述低侧用晶片搭载部的上表面设有低侧晶片连接用电镀层和金属板连接用电镀层，所述低侧晶片连接用电镀层形成在搭载上述低侧用半导体晶片之区域，所述金属板连接用电镀层形成于接合有上述高侧用金属板之区域；上述低侧晶片连接用电镀层和上述金属板连接用电镀层被隔
开。