| 发明名称 |
积体电路 |
| 摘要 |
的有关于一种积体电路。该积体电路包括一第一金属层、以及透过一电介质层电容耦合至该第一金属层的一第二金属层。另外，该第二金属层包括一电子泄漏路径，用以提供在一预定泄漏时段中从该第二金属层之电荷的泄漏。
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| 申请公布号 |
TW201603195 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104113752 |
申请日期 |
2015.04.29 |
| 申请人 |
惠普发展公司有限责任合夥企业 |
发明人 |
维拉沃兹 雷纳多Ｖ;葛 宁;姚 文豪;涅斯 艾利克Ｄ;诺伐克 大卫Ｂ |
| 分类号 |
H01L21/82(2006.01);H01L21/8239(2006.01);H01L21/8247(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/82(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
恽轶群;陈文郎 |
| 主权项 |
一种积体电路，其包含：一第一金属层；一电介质层；以及透过该电介质层而电容耦合至该第一金属层的一第二金属层，其中该第二金属层包含一电子泄漏路径，其用以提供在一预定泄漏时段中从该第二金属层之电荷泄漏。
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| 地址 |
美国 |
