| 发明名称 |
光阻下层膜形成用聚矽氧烷组成物及图型形成方法 |
| 摘要 |
明之目的系提供在多层光阻制程中，可抑制光阻下层膜中之缺陷产生之光阻下层膜形成用聚矽氧烷组成物及使用该光阻下层膜形成用聚矽氧烷组成物之图型形成方法。
|
| 申请公布号 |
TW201602247 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104114128 |
申请日期 |
2015.05.04 |
| 申请人 |
ＪＳＲ股份有限公司 |
发明人 |
瀬古智昭;笠原一树;芹泽龙一;出井慧 |
| 分类号 |
C08L83/04(2006.01);C08K5/375(2006.01);C08K5/45(2006.01);G03F7/11(2006.01);G03F7/40(2006.01);H01L21/027(2006.01) |
主分类号 |
C08L83/04(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
| 主权项 |
一种光阻下层膜形成用聚矽氧烷组成物，其系含有聚矽氧烷及酸产生剂之光阻下层膜形成用聚矽氧烷组成物，其特征为上述酸产生剂包含鎓阳离子及酸阴离子，上述鎓阳离子包含脂环构造、脂肪族杂环构造、具有链状取代基之芳香环构造或该等之组合。
|
| 地址 |
日本 |
