发明名称 |
晶片电子零件之电特性的连续性检查方法 |
摘要 |
不会随着检查工程之延长而可以抑制晶片
电子零件之电特性之连续性的检查方法实施时被发现的检查精度下降的方法。
属于使用在表面同心圆状地形成三列以上
之透孔之列的晶片电子零件搬运圆盘的晶片电子零件之电特性之连续性检查方法,其系组入下述操作的方法:藉由在测量被收容在与圆盘之半径方向邻接之各透孔的晶片电子零件之内之一个晶片电子零件之电特性之期间,对与其他之一个或其以上之晶片电子零件接触之电极端子施加直流电流,除去生成在该电极端子之前端的氧化物皮膜。
|
申请公布号 |
TW201602599 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
申请号 |
TW104112571 |
申请日期 |
2015.04.20 |
申请人 |
慧萌高新科技有限公司 |
发明人 |
野中智;藤田清久 |
分类号 |
G01R31/26(2014.01);G01R31/28(2006.01) |
主分类号 |
G01R31/26(2014.01) |
代理机构 |
|
代理人 |
林志刚 |
主权项 |
一种晶片电子零件之电特性的连续性检查方法,系以在表面同心圆状地形成至少三列之透孔之列的圆盘可进行间歇性旋转之方式,使在同心圆之中心被枢轴支撑于基台而所构成之晶片电子零件搬运圆盘间歇性旋转,且在该搬运圆盘之旋转停止之期间,在晶片电子零件供给收容部,将晶片电子零件收容在该搬运圆盘之各列之透孔,接着藉由该搬运圆盘之间歇性旋转,使被收容在各列之透孔的晶片电子零件移动至电特性检查部,且在该电特性检查部,使电性连接于电特性测量装置之电极端子接触于被收容于各列之透孔的各晶片电子零件,在其接触状态下,顺序测量被收容在与该圆盘之半径方向邻接之透孔的晶片电子零件之电特性,之后,重覆实施在该搬运圆盘之旋转和停止状态下将晶片电子零件收容至透孔还有电特性之测量,该晶片电子零件之电特性之连续性检查方法之特征在于:藉由在测量被收容在与该圆盘之半径方向邻接之各透孔的晶片电子零件之内之一个的晶片电子零件之电特性之期间,对与其他之一个或其以上之晶片电子零件接触之电极端子施加直流电流,除去生成在该电极端子之前端的氧化物皮膜。
|
地址 |
日本 |