| 发明名称 |
切晶带一体型半导体背面用膜、及半导体装置之制造方法 |
| 摘要 |
明提供一种可抑制因加热所致之切晶带与覆晶型半导体背面用膜之间之剥离力之上升的切晶带一体型半导体背面用膜。
|
| 申请公布号 |
TW201602301 |
申请公布日期 |
2016.01.16 |
| 申请号 |
TW104115083 |
申请日期 |
2015.05.12 |
| 申请人 |
日东电工股份有限公司 |
发明人 |
高本尚英;花园博行;福井章洋 |
| 分类号 |
C09J7/02(2006.01);H01L21/683(2006.01);H01L21/78(2006.01) |
主分类号 |
C09J7/02(2006.01) |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈长文 |
| 主权项 |
一种切晶带一体型半导体背面用膜，其特征在于具有：切晶带，其具有基材及形成于上述基材上之黏着剂层；及覆晶型半导体背面用膜，其形成于上述切晶带之上述黏着剂层上；且将上述黏着剂层与上述覆晶型半导体背面用膜于界面处剥离之后，于上述黏着剂层上使用接触角仪测定水及碘甲烷之接触角，将根据测得之接触角藉由几何平均法算出之表面自由能设为γ1，于上述覆晶型半导体背面用膜上使用接触角仪测定水及碘甲烷之接触角，将根据测得之接触角藉由几何平均法算出之表面自由能设为γ2时，上述表面自由能γ2与上述表面自由能γ1之差(γ2-γ1)为10mJ/m2以上。
|
| 地址 |
日本 |
