| 摘要 |
<p>플래시 메모리 소자의 제조 방법이 제공된다. 상기 플래시 메모리 소자의 제조 방법은 반도체 기판을 식각하여 소자 분리막 형성을 위한 트랜치를 형성하는 단계, 상기 트랜치가 형성된 반도체 기판의 일 영역을 노출시키는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 노출된 반도체 기판의 일 영역에 불순물을 임플란트하여 리세스트 공통 소스를 형성하는 단계, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 상기 트랜치에 절연물을 매립하여 소자 분리막을 형성하는 단계, 및 상기 리세스트 공통 소스의 양측에 인접한 반도체 기판 상에 게이트 패턴들을 형성하는 단계를 포함한다.</p> |
