| 摘要 |
Bei einem Optikbauelementwafer ist eine Optikbauelementschicht über einer vorderen Fläche eines Epitaxiesubstrats mittels einer Pufferschicht ausgebildet, die aus einer Ga enthaltenden Ga-Verbindung ausgebildet wird. Nachdem ein Transfersubstrat mit der Optikbauelementschicht des Optikbauelementwafers verbunden ist, wird eine Trennschicht bei einer Grenzfläche zwischen dem Epitaxiesubstrat und der Pufferschicht durch Ausführen einer Bestrahlung mit einem gepulsten Laserstrahl ausgebildet, der so eine Wellenlänge aufweist, dass er durch das Epitaxiesubstrat übertragen wird und durch die Pufferschicht von einer Rückflächenseite des Epitaxiesubstrats absorbiert wird. Danach wird ein Ultraschallhorn, das Ultraschallschwingungen oszilliert, mit einem äußeren Umfangsteil des Epitaxiesubstrats in Kontakt gebracht, um das Epitaxiesubstrat in Schwingungen zu versetzen, und das Epitaxiesubstrat wird von dem Transfersubstrat getrennt, um die Optikbauelementschicht zu dem Transfersubstrat zu überführen. |
