| 摘要 |
<p>Nichtflüchtiges Speicherbauelement mit–einem Speicherzellenfeld (110), welches in Zeilen und Spalten angeordnete Speicherzellen umfasst,–einem Wortleitungsspannungsgenerator (190) zum Erzeugen einer Wortleitungs-/Programmierspannung (Vpgm) in Reaktion auf Schrittsteuersignale (STEPi) und–einer Programmiersteuereinheit (160, 170, 180) zum sequentiellen Aktivieren der Schrittsteuersignale (STEPi) während eines Programmierzyklus,–wobei der Wortleitungsspannungsgenerator (190) während des Programmierzyklus ein Inkrement der Wortleitungs-/Programmierspannung (Vpgm) betriebsartabhängig unterschiedlich steuert und einen Spannungsteiler (220, 220') umfasst, welcher die Wortleitungs-/Programmierspannung (Vpgm) in Reaktion auf ein Modusauswahlsignal (MODE_SEL), welches den Betriebsmodus anzeigt und während eines Testprogrammiermodus aktiviert ist und während eines normalen Programmiermodus deaktiviert ist, und in Reaktion auf die Schrittsteuersignale (STEPi) teilt.</p> |
