| 摘要 |
Es ist eine Halbleitervorrichtung bereitgestellt, mit: einem Schaltelement mit einem Hauptelement und einem Abfühlelement; einer Hauptdiode, deren Kathode mit einer ersten Hauptelektrode des Hauptelements verbunden ist und deren Anode mit einer zweiten Hauptelektrode des Hauptelements verbunden ist; einer Abfühldiode, deren Kathode mit einer ersten Hauptelektrode des Abfühlelements verbunden ist und deren Anode mit einer zweiten Hauptelektrode des Abfühlelements verbunden ist; und einer Verschlechterungserfassungsschaltung, die konfiguriert ist zum Anlegen einer Spannung an einen Abfühlknoten und zum Erfassen einer Verschlechterung des Schaltelements oder der Hauptdiode basierend auf einem Durchlassstrom, der in der Abfühldiode fließt, wobei dieser erfasst wird, während die Spannung angelegt wird, wobei die Spannung während einer AUS-Periode des Schaltelements angelegt wird, wobei die Abfühldiode zum Erfassen eines durch die Hauptdiode fließenden Stroms eingerichtet ist. |
