SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

본 발명은 반도체 장치를 제공한다. 이 장치는 음의 고정 전하를 포함하는 백 바이스(back bias) 유전체층, 백 바이어스 유전체층 상에 배치된 게이트 전극, 게이트 전극과 백 바이어스 유전체층 사이에 개재된 반도체층, 반도체층과 게이트 전극 사이에 개재된 게이트 절연막을 포함하되, 음의 고정 전하는 백 바이어스 유전체층을 마주보는 반도체층의 표면에 홀을 축적시킨다.