发明名称 ENHANCED ETCH AND DEPOSITION PROFILE CONTROL USING PLASMA SHEATH ENGINEERING
摘要 <p>플라즈마 처리 장치는 워크피스 상에 물질을 증착시키기 위해 사용된다. 예를 들면, 물질의 컨포멀 증착을 위한 방법이 개시되고, 본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 쉬스 형상은 변경되어 물질이 일정 범위의 입사 각도들로 상기 워크피스에 충돌하도록 허용한다. 시간에 따라 이러한 입사 각도들의 범위를 변화시킴으로써, 다양한 형상들이 증착될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 플라즈마 처리 장치는 워크피스를 식각하기 위해 사용된다. 본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 쉬스 형상은 변경되어 이온들이 일정 범위의 입사 각도들로 상기 워크피스에 충돌하도록 허용한다. 시간에 따라 이러한 입사 각도들의 범위를 변화시킴으로써, 다양한 형태의 형상들이 형성될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101585519(B1) 申请公布日期 2016.01.14
申请号 KR20117025218 申请日期 2010.04.02
申请人 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 发明人 고뎃, 루도빅;밀러, 티모시, 제이.;파파소울리오티스, 조지, 디.;싱, 비크람
分类号 H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人
主权项
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