发明名称 |
ENHANCED ETCH AND DEPOSITION PROFILE CONTROL USING PLASMA SHEATH ENGINEERING |
摘要 |
<p>플라즈마 처리 장치는 워크피스 상에 물질을 증착시키기 위해 사용된다. 예를 들면, 물질의 컨포멀 증착을 위한 방법이 개시되고, 본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 쉬스 형상은 변경되어 물질이 일정 범위의 입사 각도들로 상기 워크피스에 충돌하도록 허용한다. 시간에 따라 이러한 입사 각도들의 범위를 변화시킴으로써, 다양한 형상들이 증착될 수 있다. 다른 실시예에 있어서, 플라즈마 처리 장치는 워크피스를 식각하기 위해 사용된다. 본 실시예에 있어서, 상기 플라즈마 쉬스 형상은 변경되어 이온들이 일정 범위의 입사 각도들로 상기 워크피스에 충돌하도록 허용한다. 시간에 따라 이러한 입사 각도들의 범위를 변화시킴으로써, 다양한 형태의 형상들이 형성될 수 있다.</p> |
申请公布号 |
KR101585519(B1) |
申请公布日期 |
2016.01.14 |
申请号 |
KR20117025218 |
申请日期 |
2010.04.02 |
申请人 |
베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. |
发明人 |
고뎃, 루도빅;밀러, 티모시, 제이.;파파소울리오티스, 조지, 디.;싱, 비크람 |
分类号 |
H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
主分类号 |
H01L21/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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