发明名称 High concentration water pulses for atomic layer deposition
摘要 <p>산소 층 증착에 의해 산소를 포함하는 박막을 형성하기 위한 방법이 제공된다. 산소를 포함하는 이 같은 박막은 높은 농도 워터 펄스, 반응 공간에서 워터 높은 부분압, 및/또는 반응 공간에서 기판으로 높은 워터 유량을 제공하여 증착될 수 있다. 산소를 포함하는 박막은 가령 트랜지스터, 커패시터, 집적 회로, 그리고 다른 반도체 응용에서 유전체 산화물로서 사용될 수 있다.</p>
申请公布号 KR101585578(B1) 申请公布日期 2016.01.14
申请号 KR20127007429 申请日期 2010.08.11
申请人 에이에스엠 아메리카, 인코포레이티드 发明人 쉐로 에릭 제이.;베르게스 모히쓰;매스 얀 빌렘
分类号 H01L21/20;H01L21/205 主分类号 H01L21/20
代理机构 代理人
主权项
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