发明名称 POSITIVE RESIST COMPOSITION AND PATTERNING PROCESS
摘要 <p>본 발명은 자외선, 원자외선, 전자선, X선, 엑시머레이저, γ선 또는 싱크로트론 방사선 조사의 고에너지선에 감응하여 산을 발생시키는 특정한 구조의 반복 단위와 산 불안정 단위를 가지며, 산에 의해 알칼리 용해성이 향상되는 고분자 화합물(A), 특정한 구조의 술포늄염(B)을 함께 포함하는 것을 특징으로 하는 포지티브형 레지스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명은, 산 확산의 억제와 용해 콘트라스트 향상을 양립하고, 또한 케미컬 플레어 내성을 높임으로써, 미세 패턴, 특히 트렌치(홈) 패턴이나 홀(구멍) 패턴의 리소그래피 성능(형상, DOF, 엣지 조도)을 개선시킬 수 있다.</p>
申请公布号 KR101585703(B1) 申请公布日期 2016.01.14
申请号 KR20110119469 申请日期 2011.11.16
申请人 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 发明人 고바야시 도모히로;후쿠다 에이지;나가사와 다카유키;다니구치 료스케;오사와 요이치;사게하시 마사요시;가와이 요시오
分类号 G03F7/004;G03F7/039 主分类号 G03F7/004
代理机构 代理人
主权项
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