| 摘要 |
垂直共振面発光レーザ（１）は、半絶縁性半導体からなるベース基板（１１）と、該ベース基板（１１）の表面に順次形成されたＮ型半導体コンタクト層（２１）、Ｎ型半導体多層膜反射層（２２）、Ｎ型半導体クラッド層（３１）、量子井戸を備える活性層（４０）、Ｐ型半導体クラッド層（３２）、Ｐ型半導体多層膜反射層（２３）、Ｐ型半導体コンタクト層（２４）を含む発光領域多層部と、Ｐ型半導体コンタクト層の表面に形成されたアノード用電極と、Ｎ型半導体クラッド層に接続するカソード用電極と、を備える。カソード用電極は、ベース基板（１１）の発光領域多層部側に形成されている。各垂直共振面発光レーザの間には、Ｎ型半導体コンタクト層（２１）、Ｎ型半導体多層膜反射層（２２）を貫通し、ベース基板（１１）の表面から内側まで窪む形状の溝（８０）が形成されている。 |
