LEAKAGE CONTROL IN FIELD EFFECT TRANSISTORS BASED ON AN IMPLANTATION SPECIES INTRODUCED LOCALLY AT THE STI EDGE

摘要

정적 메모리 셀에서, 격리 트렌치(203T)를 절연 물질로 충전하기 전에 격리 트렌치(203T)의 측벽(203S)을 통하여 활성 영역(202C)의 팁 부분에 주입 종을 합체시킴으로써, 격리 영역(203) 위에 형성된 게이트 전극 구조(210A)와 활성 영역(202C)을 연결하는 콘택 요소들을 형성할 때의 오류 발생 비율을 현저히 감소시킬 수 있다. 주입 종은, P형 도판트 종을 나타낼 수도 있으며 및/또는 활성 영역(202C)의 팁 부분에서 물질 특성들을 현저히 개질시키기 위한 불활성(inert) 종을 나타낼 수도 있다.