一様な抵抗を有するドーピングされたシリコンインゴットを形成する方法

摘要

シリコンインゴットを形成する方法は、変動する電気的抵抗を有し、格子間酸素を含むシリコンインゴットを用意する工程（Ｆ１）と、シリコンインゴットの異なる区域における格子間酸素濃度を測定する工程（Ｆ２）と、異なる区域で創出されるべきサーマルドナー濃度を計算し、電気的抵抗の目標値に達する工程（Ｆ３）と、シリコンインゴットの異なる区域をアニーリングにかけ、サーマルドナーを形成する工程（Ｆ５）とを含む。各区域におけるアニーリング温度は、その区域のサーマルドナー及び格子間酸素濃度から、及びアニーリング時間から決定（Ｆ４）される。