一种强场负脉冲耿氏二极管及其制备方法

摘要

本发明公开一种强场负脉冲耿氏二极管，包括外延片，外延片包括自下而上依次设置的半绝缘砷化镓衬底、n++砷化镓缓冲层、n-砷化镓有源层、n+砷化镓控制层和n++砷化镓接触层，其中n-砷化镓有源层长5～10微米，掺杂浓度为5×10¹⁵～8×10¹⁵cm^-3，本发明还公开一种强场负脉冲耿氏二极管的制备方法，利用适当的器件结构实现耿氏二极管工作于逆向耿氏偶极畴模式下，能够使现有耿氏二极管的输出功率和效率提高数倍，解决了目前耿氏二极管输出效率低下的问题。

主权项

一种强场负脉冲耿氏二极管，其特征在于，包括外延片，外延片包括自下而上依次设置的半绝缘砷化镓衬底(8)、n++砷化镓缓冲层(7)、n‑砷化镓有源层(6)、n+砷化镓控制层(5)和n++砷化镓接触层(4)，所述n++砷化镓缓冲层(7)上表面设置有阳极欧姆接触层(9)，阳极欧姆接触层(9)上表面设置有阳极引线(10)，所述n++砷化镓接触层(4)上表面设置有阴极欧姆接触层(2)，阴极欧姆接触层(2)上表面设置有阴极引线(1)，所述外延片外层除半绝缘砷化镓衬底(8)的其余部分设置有Si₃N₄钝化层(3)。