一种用于高压功率MOSFET电路中的高压大电流控制电路

摘要

一种用于高压功率MOSFET中的高压大电流控制电路，包括PMOS管MP1、MP2和MP3，三极管Q1和Q2，MOSFET管M1和M2，电阻R1和R2。MP1、MP2和MP3共栅极，源极与VDD连接，MP2和MP3的漏极分别与Q1和Q2的集电极连接。Q1和Q2的基极互连，Q1和Q2的发射极分别与R1和R2连接。M1和M2共栅极，共漏极，M1的源极与R1连接。M2的源极、R1和R2接地。Q1与Q2互相匹配，R1与R2是按照比例关系的匹配电阻。M1和M2的宽长比为一定比例。本发明不考虑晶体管沟道长度调制效应，由R1引入负反馈，将大电流转化为电流比较信号，实现了在高电压大电流模式下对电流的精确控制。

主权项

一种用于高压功率MOSFET中的大电流控制电路，其特征在于，包括第一MOSFET管(M1)、第二MOSFET管(M2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一三极管(Q1)和第二三极管(Q2)；所述第一PMOS管(MP1)的源极、所述第二PMOS管(MP2)的源极和所述第三PMOS管(MP3)的源极与电源VDD连接；所述第三PMOS管(MP3)的栅极、所述第二PMOS管(MP2)的栅极、所述第一PMOS管(MP1)的栅极和所述第一PMOS管(MP1)的漏极的电流为基准电流I_ref；所述第二PMOS管(MP2)的漏极与所述第一三极管(Q1)的集电极连接；所述第三PMOS管(MP3)的漏极分别与所述第二三极管(Q2)的集电极、所述第一MOSFET管(M1)的栅极和所述第二MOSFET管(M2)的栅极连接；所述第一三极管(Q1)的基极分别与自身的集电极和所述第二三极管(Q2)的基极连接；所述第一三极管(Q1)的发射极接入所述第一MOSFET管(M1)和所述第一电阻(R1)之间；所述第二三极管(Q2)集电极与所述第三PMOS管(MP3)的漏极、所述第一MOSFET管(M1)的栅极和所述第二MOSFET管(M2)的栅极连接；所述第二三极管(Q2)的发射极与所述第二电阻(R2)连接，所述第二电阻(R2)的另一端直接接地；所述第一MOSFET管(M1)的源极分别与所述第一三极管(Q1)的发射极和所述第一电阻(R1)连接，所述第一电阻(R1)的另一端直接接地；所述第一MOSFET管(M1)的漏极与所述第二MOSFET管(M2)的漏极相连；所述第二MOSFET管(M2)的源极直接接地；所述第一PMOS管(MP1)、所述第二PMOS管(MP2)和所述第三PMOS管(MP3)均采用长沟道的PMOS管。