发明名称 |
一种平面异质结有机发光二极管及其制备方法 |
摘要 |
本发明属于有机光电材料技术领域,公开了一种平面异质结有机发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极。P型有机半导体层由能够较好传导空穴的有机半导体材料构成,N型有机半导体层由能够较好传导电子的有机半导体材料构成。本发明发光二极管的光色来源于PN异质结的相互作用,发光光谱不同于单独P型或者N型半导体的发光光谱,而且本发明的发光二极管为P型材料和N型材料以相互层叠的方式构成,不存在传统有机发光二极管的发光层,具备较低的驱动电压以及较高的发光效率,应用前景良好。 |
申请公布号 |
CN105244447A |
申请公布日期 |
2016.01.13 |
申请号 |
CN201510553459.9 |
申请日期 |
2015.09.01 |
申请人 |
华南理工大学 |
发明人 |
苏仕健;陈东成;曹镛 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
广州市华学知识产权代理有限公司 44245 |
代理人 |
罗啸秋 |
主权项 |
一种平面异质结有机发光二极管,其特征在于:包括依次层叠的衬底、阳极、P型有机半导体层、N型有机半导体层和阴极。 |
地址 |
510640 广东省广州市天河区五山路381号 |